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1N962B

1N962B

참조 용

부품 번호 1N962B
PNEDA 부품 번호 1N962B
설명 DIODE ZENER 11V 500MW DO7
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,518
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N962B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N962B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N962B, 1N962B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 151.27 KB)
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1N962B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)11V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)9.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 8.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AA, DO-7, Axial
공급자 장치 패키지DO-7

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTXV1N5531B-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZG05B6V2-M3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG05B-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±1.94%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

JAN1N4963D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

MM5Z5V6T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±7.1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-523

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