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1N973B

1N973B

참조 용

부품 번호 1N973B
PNEDA 부품 번호 1N973B
설명 DIODE ZENER 33V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N973B 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N973B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N973B, 1N973B 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 152.71 KB)
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1N973B 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)58 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 25.1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Taiwan Semiconductor Corporation

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0805 (2012 Metric)

공급자 장치 패키지

0805

JAN1N4493

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

700 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 120V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

MMBZ5242BT-7-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MMBZ5265B-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

185 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 47V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BZD27C56P MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±7.14%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 43V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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