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1PMT5920BT3G

1PMT5920BT3G

참조 용

부품 번호 1PMT5920BT3G
PNEDA 부품 번호 1PMT5920BT3G
설명 DIODE ZENER 6.2V 500MW POWERMITE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,570
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예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
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1PMT5920BT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1PMT5920BT3G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1PMT5920BT3G, 1PMT5920BT3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 62.65 KB)
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1PMT5920BT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-216AA
공급자 장치 패키지Powermite

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공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA (DO-214AC)

MMSZ4690T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

SMBG5375BE3/TR13

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

65 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 59V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

SMBG (DO-215AA)

1N5913BRLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

1N5239BDO35

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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