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1SP0635D2S1-33

1SP0635D2S1-33

참조 용

부품 번호 1SP0635D2S1-33
PNEDA 부품 번호 1SP0635D2S1-33
설명 IC SINGLE GATE DRIVER 35A
제조업체 Power Integrations
단가
1 ---------- $1,738.8934
50 ---------- $1,657.3828
100 ---------- $1,575.8722
200 ---------- $1,494.3616
400 ---------- $1,426.4360
500 ---------- $1,358.5105
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1SP0635D2S1-33 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SP0635D2S1-33
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
1SP0635D2S1-33, 1SP0635D2S1-33 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 427.35 KB)
PDF1SP0635V2M1-33 데이터 시트 표지
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1SP0635D2S1-33 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-2
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급14.5V ~ 15.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)35A, 35A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)3300V
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 30ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.6V, 1.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-23-6

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제조업체

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시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MCP14E6-E/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

UCC27200ADRCR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 17V

논리 전압-VIL, VIH

3V, 8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad, 9 Leads

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IR2132STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

80ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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