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1SP0635V2M1-12

1SP0635V2M1-12

참조 용

부품 번호 1SP0635V2M1-12
PNEDA 부품 번호 1SP0635V2M1-12
설명 IC SINGLE GATE DRIVER 35A
제조업체 Power Integrations
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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1SP0635V2M1-12 리소스

브랜드 Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SP0635V2M1-12
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
1SP0635V2M1-12, 1SP0635V2M1-12 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 413.6 KB)
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1SP0635V2M1-12 사양

제조업체Power Integrations
시리즈SCALE™-2
구동 구성High-Side or Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT
전압-공급14.5V ~ 15.5V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)35A, 35A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)1200V
상승 / 하강 시간 (일반)9ns, 30ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

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상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

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채널 유형

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

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드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 12V

논리 전압-VIL, VIH

0.3V, 1.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

6ns, 6ns

작동 온도

-20°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-QFN (4x4)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 29ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

1.4V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

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