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1SS184,LF

1SS184,LF

참조 용

부품 번호 1SS184,LF
PNEDA 부품 번호 1SS184-LF
설명 DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $14.2838
100 ---------- $13.6142
250 ---------- $12.9447
500 ---------- $12.2751
750 ---------- $11.7172
1,000 ---------- $11.1592
재고 있음 359,570
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1SS184 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SS184,LF
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
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  • 1SS184,LF Distributor

1SS184 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 80V
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59

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1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.75mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 8A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

7µA @ 1200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

8 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

140V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.08V @ 700mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 700mA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-CSOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-CSOIC

SBRT30A45CT

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

TrenchSBR

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

510mV @ 15A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-220AB

203CMQ100

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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Chassis Mount

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