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1SS295(TE85L,F)

1SS295(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 1SS295(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 1SS295-TE85L-F
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 4V SC59-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $34.4260
100 ---------- $32.8123
250 ---------- $31.1985
500 ---------- $29.5848
750 ---------- $28.2401
1,000 ---------- $26.8953
재고 있음 36
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1SS295(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SS295(TE85L,F)
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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  • 1SS295(TE85L,F) Price
  • 1SS295(TE85L,F) Distributor

1SS295(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Series Connection
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)4V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)30mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If320mV @ 2mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 500mV
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59-3

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

610mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 45V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

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Through Hole

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속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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