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1SS315TPH3F

1SS315TPH3F

참조 용

부품 번호 1SS315TPH3F
PNEDA 부품 번호 1SS315TPH3F
설명 RF DIODE SCHOTTKY 5V USC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $0.1596
500 ---------- $0.1521
1,000 ---------- $0.1447
2,500 ---------- $0.1372
5,000 ---------- $0.1309
10,000 ---------- $0.1247
재고 있음 376
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SS315TPH3F 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SS315TPH3F
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • 1SS315TPH3F Price
  • 1SS315TPH3F Distributor

1SS315TPH3F 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)5V
현재-최대30mA
커패시턴스 @ Vr, F0.6pF @ 0.2V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지USC

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PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

1.5V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-65°C ~ 125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

HSMS-8101-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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