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1SS319(TE85L,F)

1SS319(TE85L,F) 1SS319(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 1SS319(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 1SS319-TE85L-F
설명 DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $16.4160
100 ---------- $15.6465
250 ---------- $14.8770
500 ---------- $14.1075
750 ---------- $13.4663
1,000 ---------- $12.8250
재고 있음 158
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1SS319(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SS319(TE85L,F)
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열

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  • 1SS319(TE85L,F) Price
  • 1SS319(TE85L,F) Distributor

1SS319(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)40V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If600mV @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 40V
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-61AA
공급자 장치 패키지SC-61B

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

80A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 1000V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

990mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FEPF16DTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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Through Hole

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 120V

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