1SS427,L3M
참조 용
| 부품 번호 | 1SS427,L3M |
| PNEDA 부품 번호 | 1SS427-L3M |
| 설명 | DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 270,894 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1SS427 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1SS427,L3M |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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1SS427 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 80V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 100mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 100mA |
| 속도 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.6ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 500nA @ 80V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 0.3pF @ 0V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-923 |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-923 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 530mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 800µA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F 90pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 68A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 20A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 1135pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지 D3Pak 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
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