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1SV233-TB-E

1SV233-TB-E

참조 용

부품 번호 1SV233-TB-E
PNEDA 부품 번호 1SV233-TB-E
설명 RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $11.2632
100 ---------- $10.7353
250 ---------- $10.2073
500 ---------- $9.6793
750 ---------- $9.2394
1,000 ---------- $8.7994
재고 있음 1,638
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SV233-TB-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV233-TB-E
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
1SV233-TB-E, 1SV233-TB-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 254.18 KB)
PDF1SV233-TB-E 데이터 시트 표지
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  • 1SV233-TB-E Distributor

1SV233-TB-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.23pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)150mW
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지3-CP

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4V

현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

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다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

1.5A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

3W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

2-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Pair CA + CC

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

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