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1SV246-TL-E

1SV246-TL-E

참조 용

부품 번호 1SV246-TL-E
PNEDA 부품 번호 1SV246-TL-E
설명 RF DIODE PIN 50V 100MW MCP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1.7924
250 ---------- $1.7084
500 ---------- $1.6243
1,000 ---------- $1.5403
2,500 ---------- $1.4703
5,000 ---------- $1.4003
재고 있음 58,936
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1SV246-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV246-TL-E
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
1SV246-TL-E, 1SV246-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 256.26 KB)
PDF1SV246-TL-E 데이터 시트 표지
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1SV246-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.23pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)100mW
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지-

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

16pF @ 2V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

fSC

SMS3928-023LF

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제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Cross Over

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.5pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

8Ohm @ 10mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

BA892H6433XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-80

공급자 장치 패키지

SCD-80

1N5712#T25

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - Single

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

35mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

-

DMV1500HFD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

1500V

현재-최대

6A

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FPAB

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