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1SV251-TB-E

1SV251-TB-E

참조 용

부품 번호 1SV251-TB-E
PNEDA 부품 번호 1SV251-TB-E
설명 RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $13.0281
100 ---------- $12.4174
250 ---------- $11.8067
500 ---------- $11.1960
750 ---------- $10.6871
1,000 ---------- $10.1782
재고 있음 4,622
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1SV251-TB-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV251-TB-E
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
1SV251-TB-E, 1SV251-TB-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 242.04 KB)
PDF1SV251-TB-E 데이터 시트 표지
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1SV251-TB-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)50V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.23pF @ 50V, 1MHz
저항 @ If, F4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)150mW
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지3-CP

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 2 Independent

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

22Ohm @ 1mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

0505 (1412 Metric)

공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 100MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 10mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

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NXP

제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 5mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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시리즈

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다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

200V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

2Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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