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1SV282TPH3F

1SV282TPH3F

참조 용

부품 번호 1SV282TPH3F
PNEDA 부품 번호 1SV282TPH3F
설명 DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 8,316
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SV282TPH3F 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV282TPH3F
분류반도체다이오드 및 정류기배 랙터 다이오드

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  • 1SV282TPH3F Distributor

1SV282TPH3F 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
커패시턴스 @ Vr, F3pF @ 25V, 1MHz
커패시턴스 비율12.5
커패시턴스 비율 조건C2/C25
전압-피크 역방향 (최대)34V
다이오드 유형Single
Q @ Vr, F-
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지ESC

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NXP USA Inc.

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커패시턴스 @ Vr, F

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커패시턴스 비율

16

커패시턴스 비율 조건

C0.5/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

SOD-882T

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 50MHz

커패시턴스 비율

-

커패시턴스 비율 조건

-

전압-피크 역방향 (최대)

12V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

80 @ 4V, 50MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

SMV1255-079LF

Skyworks Solutions

제조업체

Skyworks Solutions Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

5.8pF @ 4.7V, 50MHz

커패시턴스 비율

12.3

커패시턴스 비율 조건

C0.3/C4.7

전압-피크 역방향 (최대)

15V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

350 @ 3V, 50MHz

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SC-79

MMVL2101T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

7.5pF @ 4V, 1MHz

커패시턴스 비율

3.2

커패시턴스 비율 조건

C2/C30

전압-피크 역방향 (최대)

30V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

450 @ 4V, 50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BB182,135

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

커패시턴스 @ Vr, F

2.89pF @ 28V, 1MHz

커패시턴스 비율

22

커패시턴스 비율 조건

C1/C28

전압-피크 역방향 (최대)

32V

다이오드 유형

Single

Q @ Vr, F

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

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