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24C01CT-E/MC

24C01CT-E/MC

참조 용

부품 번호 24C01CT-E/MC
PNEDA 부품 번호 24C01CT-E-MC
설명 IC EEPROM 1K I2C 100KHZ 8DFN
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 5,976
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

24C01CT-E/MC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호24C01CT-E/MC
분류반도체메모리 IC기억

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24C01CT-E/MC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Kb (128 x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수100kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지1.5ms
접근 시간3500ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-DFN (2x3)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-FBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x16)

SST39SF020A-70-4I-WHE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP

CY7C1315JV18-300BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

S29GL064S90FHVV10

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

90ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

70T3589S166DR

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

2Mb (64K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.6ns

전압-공급

2.4V ~ 2.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

208-BFQFP

공급자 장치 패키지

208-PQFP (28x28)

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