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2DA1213Y-13

2DA1213Y-13

참조 용

부품 번호 2DA1213Y-13
PNEDA 부품 번호 2DA1213Y-13
설명 TRANS PNP 50V 2A SOT89-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 4,500
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2DA1213Y-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2DA1213Y-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2DA1213Y-13, 2DA1213Y-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 263.09 KB)
PDF2DA1213Y-13 데이터 시트 표지
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2DA1213Y-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
전력-최대1W
주파수-전환160MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-243AA
공급자 장치 패키지SOT-89-3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 150mA, 5V

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

2SA1312-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

350 @ 2mA, 6V

전력-최대

150mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

195mV @ 75mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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