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2ED020I12FAXUMA2

2ED020I12FAXUMA2

참조 용

부품 번호 2ED020I12FAXUMA2
PNEDA 부품 번호 2ED020I12FAXUMA2
설명 IC DRIVER IGBT DSO36
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 22,872
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2ED020I12FAXUMA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2ED020I12FAXUMA2
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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2ED020I12FAXUMA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EiceDriver™
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급13V ~ 20V
논리 전압-VIL, VIH1.5V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.4A, 2.4A
입력 유형Inverting, Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)1200V
상승 / 하강 시간 (일반)30ns, 50ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
공급자 장치 패키지PG-DSO-36-58

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

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구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

13.5ns, 13ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

FAN7171M-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 15ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6612BCBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MP1921HQE-A-LF-Z

Monolithic Power Systems Inc.

제조업체

Monolithic Power Systems Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

120V

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

9-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

9-QFN (3x3)

제조업체

IXYS

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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