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2EZ51D10E3/TR8

2EZ51D10E3/TR8

참조 용

부품 번호 2EZ51D10E3/TR8
PNEDA 부품 번호 2EZ51D10E3-TR8
설명 DIODE ZENER 51V 2W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 24 - 9월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2EZ51D10E3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2EZ51D10E3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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  • 2EZ51D10E3/TR8 Distributor

2EZ51D10E3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)51V
공차±10%
전력-최대2W
임피던스 (최대) (Zzt)48 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 38.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CDLL3829

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BZT52C51-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 38V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1SMB5933HR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

17.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 16.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

SMBG4733E3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±10%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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