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2N2605UB

2N2605UB

참조 용

부품 번호 2N2605UB
PNEDA 부품 번호 2N2605UB
설명 NPN TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,906
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 18 - 1월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N2605UB 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N2605UB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2N2605UB Distributor

2N2605UB 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

전력-최대

830mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 100mA, 1V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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TO-92

FJP13007H2TU-F080

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

전력-최대

80W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-220-3

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

12 @ 40mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

20MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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