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2N2907A DL

2N2907A DL

참조 용

부품 번호 2N2907A DL
PNEDA 부품 번호 2N2907A-DL
설명 DIE TRANS PNP MED PWR GP DUAL
제조업체 MICROSS/On Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,010
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N2907A DL 리소스

브랜드 MICROSS/On Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N2907A DL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N2907A DL 사양

제조업체MICROSS/On Semiconductor
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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NPN

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100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

250MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2A, 1V

전력-최대

1W

주파수-전환

130MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 7.5A, 3V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

200nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

BC850CW RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

100MHz

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