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2N3055HG

2N3055HG

참조 용

부품 번호 2N3055HG
PNEDA 부품 번호 2N3055HG
설명 TRANS NPN 60V 15A TO-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,274
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N3055HG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N3055HG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N3055HG, 2N3055HG 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 85.92 KB)
PDF2N3055HG 데이터 시트 표지
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2N3055HG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대)700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
전력-최대115W
주파수-전환2.5MHz
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지TO-204 (TO-3)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

35nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 300mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BCX51,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

145MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

JANTX2N5238S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/394

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

170V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 1A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

JAN2N5014S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/727

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

2N3019

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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