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2N3704_D75Z

2N3704_D75Z

참조 용

부품 번호 2N3704_D75Z
PNEDA 부품 번호 2N3704_D75Z
설명 TRANS NPN 30V 0.5A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
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2N3704_D75Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N3704_D75Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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2N3704_D75Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 5V
전력-최대625mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

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100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 2mA, 10V

전력-최대

150mW

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PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 300mV

전력-최대

350mW

주파수-전환

500MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

200nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

FJP5027RHTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

800V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 300mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 200mA, 5V

전력-최대

50W

주파수-전환

15MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

JANTXV2N5685

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

5V @ 10A, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 25A, 2V

전력-최대

300W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

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