2N4119A-E3
참조 용
| 부품 번호 | 2N4119A-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N4119A-E3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,320 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 2 - 4월 7 (신속 배송 선택) |
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2N4119A-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N4119A-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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- 2N4119A-E3 Distributor
2N4119A-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 40V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 200µA @ 10V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 2V @ 1nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3pF @ 10V |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | 300mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-206AF (TO-72) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 0.7pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 30mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 3-USFP |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐) 30 Ohms 전력-최대 1.8W 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
