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2N4125TAR

2N4125TAR

참조 용

부품 번호 2N4125TAR
PNEDA 부품 번호 2N4125TAR
설명 TRANS PNP 30V 0.2A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,694
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4125TAR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4125TAR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N4125TAR, 2N4125TAR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 61.04 KB)
PDF2N4125TAR 데이터 시트 표지
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2N4125TAR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 2mA, 1V
전력-최대625mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 300mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E-Line-3, Formed Leads

공급자 장치 패키지

E-Line (TO-92 compatible)

BCY79-VII

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

800mV @ 2.5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

2SC555600L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 20mA, 8V

전력-최대

300mW

주파수-전환

6GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G1

PN3638A_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

35nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 300mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BC548TA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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