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2N4392

2N4392

참조 용

부품 번호 2N4392
PNEDA 부품 번호 2N4392_5E
설명 N CHANNEL JFET
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $6.4035
100 ---------- $6.1033
250 ---------- $5.8031
500 ---------- $5.5030
750 ---------- $5.2528
1,000 ---------- $5.0027
재고 있음 18,915
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4392 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4392
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2N4392 Distributor

2N4392 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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PF5103

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1.2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N5433

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AC (TO-52)

NSVJ6904DSB6T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

78 mOhms

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-CPH

FJN598JABU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

20V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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