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2N4393UB

2N4393UB

참조 용

부품 번호 2N4393UB
PNEDA 부품 번호 2N4393UB
설명 N CHANNEL JFET
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,976
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4393UB 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4393UB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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2N4393UB 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
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전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

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625mW

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전류 드레인 (Id)-최대

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30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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Vishay Siliconix

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

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