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2N4399

2N4399

참조 용

부품 번호 2N4399
PNEDA 부품 번호 2N4399_5E
설명 PNP TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
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재고 있음 2,736
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4399 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4399
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N4399 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
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전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

60W

주파수-전환

10MHz

작동 온도

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Through Hole

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트랜지스터 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

MJD253T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

40MHz

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-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

DPAK

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

전력-최대

65W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

BC858B-7-F

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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