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2N4859JTXV02

2N4859JTXV02

참조 용

부품 번호 2N4859JTXV02
PNEDA 부품 번호 2N4859JTXV02
설명 JFET N-CH 30V 360MW TO-18
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,374
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4859JTXV02 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4859JTXV02
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2N4859JTXV02 Distributor

2N4859JTXV02 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

-

작동 온도

-

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Through Hole

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전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5.5pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

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