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2N4918

2N4918

참조 용

부품 번호 2N4918
PNEDA 부품 번호 2N4918_6B
설명 TRANS PNP 40V 1A TO225AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,742
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4918 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4918
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N4918, 2N4918 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 261.42 KB)
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2N4918 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 500mA, 1V
전력-최대30W
주파수-전환3MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-225AA

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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STMicroelectronics

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-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 30mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

2DA1774QLP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

250mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 3mA, 30mA

전류-수집기 차단 (최대)

250nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 30mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

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