2N5109
참조 용
| 부품 번호 | 2N5109 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5109_5E |
| 설명 | RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,960 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N5109 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5109 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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2N5109 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 20V |
| 주파수-전환 | 1.2GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 12dB |
| 전력-최대 | 2.5W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 400mA |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-39 |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 5.5V 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz 이득 9dB ~ 11dB 전력-최대 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V 전류-수집기 (Ic) (최대) 16mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23 |
