2N5114
참조 용
| 부품 번호 | 2N5114 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 2N5114 | ||||||||||||||||||
| 설명 | P CHANNEL JFET | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 48 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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2N5114 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5114 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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2N5114 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500 |
| FET 유형 | P-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 30V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 90mA @ 18V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 10V @ 1nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 25pF @ 15V |
| 저항-RDS (켜짐) | 75 Ohms |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| 공급자 장치 패키지 | TO-18 (TO-206AA) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 30mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 5V @ 10µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 125mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지 SSMini3-F3-B |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 500mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4.5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 3 Ohms 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223-4 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10pF @ 15V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 100 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 750mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 310mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 800mV @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) 60 Ohms 전력-최대 250mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
