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2N5115

2N5115

참조 용

부품 번호 2N5115
PNEDA 부품 번호 2N5115_105
설명 IC JUNCTION FET P-CH TO-18
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가
1 ---------- $0.3073
500 ---------- $0.2929
1,000 ---------- $0.2785
2,500 ---------- $0.2641
5,000 ---------- $0.2521
10,000 ---------- $0.2401
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2N5115 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N5115, 2N5115 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 677.3 KB)
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  • Central Semiconductor Corp Distributor
  • 2N5115 Price
  • 2N5115 Distributor

2N5115 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)15mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds25pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)100 Ohms
전력-최대500mW
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-18

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N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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20V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

2mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

210µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AF (TO-72)

MPF4393RLRPG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

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