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2N5190

2N5190

참조 용

부품 번호 2N5190
PNEDA 부품 번호 2N5190_105
설명 TRANS NPN 40V 4A TO126
제조업체 Central Semiconductor Corp
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재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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2N5190 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5190
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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2N5190 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.4V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 1.5A, 2V
전력-최대40W
주파수-전환2MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-126

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

160MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 25mA, 250mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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SOT-23-3

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Infineon Technologies

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

330mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

2SA1611(0)-T2-A

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 1mA, 6V

전력-최대

150mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

70V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 150mA, 10V

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