2N5547JTXV01
참조 용
| 부품 번호 | 2N5547JTXV01 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5547JTXV01 |
| 설명 | JFET N-CH 50V TO-71 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,812 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N5547JTXV01 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5547JTXV01 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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- 2N5547JTXV01 Price
- 2N5547JTXV01 Distributor
2N5547JTXV01 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-71-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-71 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 VTFP |
