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2N6388G

2N6388G

참조 용

부품 번호 2N6388G
PNEDA 부품 번호 2N6388G
설명 TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 30,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N6388G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N6388G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N6388G, 2N6388G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 107.84 KB)
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2N6388G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3V @ 100mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 3V
전력-최대2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 250mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V

전력-최대

2.5W

주파수-전환

145MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

2SA08850R

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

35V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 10V

전력-최대

5W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126B-A1

JAN2N5151

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/545

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

KSA1625KTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

전력-최대

750mW

주파수-전환

10MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

TTC009,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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