2N6491
참조 용
| 부품 번호 | 2N6491 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N6491 |
| 설명 | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI |
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,610 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N6491 리소스
| 브랜드 | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N6491 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2N6491 사양
| 제조업체 | Central Semiconductor Corp |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 15A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 80V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3.5V @ 5A, 15A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V |
| 전력-최대 | 75W |
| 주파수-전환 | 5MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 210MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V 전력-최대 1.56W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 30mA, 10V 전력-최대 625mW 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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