2N6667G
참조 용
| 부품 번호 | 2N6667G |
| PNEDA 부품 번호 | 2N6667G |
| 설명 | TRANS PNP DARL 60V 10A TO220AB |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 18,720 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N6667G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N6667G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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- 2N6667G Distributor
2N6667G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Darlington |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 10A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 60V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1mA |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
| 전력-최대 | 2W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 250MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
