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2N6768T1

2N6768T1

참조 용

부품 번호 2N6768T1
PNEDA 부품 번호 2N6768T1
설명 MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,772
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N6768T1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N6768T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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2N6768T1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs400mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs110nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)4W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-254AA
패키지 / 케이스TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

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DTMOSIV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.7V @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 300V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220SIS

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IXTQ75N10P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

SIA448DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1380pF @ 1V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Single

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6

RD3H080SPFRATL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

91mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

15W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.78A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.79nC @ 4.5V

Vgs (최대)

8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

43pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100mW (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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패키지 / 케이스

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