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2N7002-HF

2N7002-HF

참조 용

부품 번호 2N7002-HF
PNEDA 부품 번호 2N7002-HF
설명 MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
제조업체 Comchip Technology
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2N7002-HF 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002-HF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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2N7002-HF 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1nC @ 10V
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds25pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)350mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 7.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 37.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.1W (Ta), 15.5W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

55W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

2SK2094TL

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

20W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

CPT3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

640pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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