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2N7002BK,215

2N7002BK,215

참조 용

부품 번호 2N7002BK,215
PNEDA 부품 번호 2N7002BK-215
설명 MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23
제조업체 Nexperia
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2N7002BK 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002BK,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
2N7002BK, 2N7002BK 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 732.71 KB)
PDF2N7002BKVL 데이터 시트 표지
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2N7002BK 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)370mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-236AB
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6780pF @ 15V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

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공급자 장치 패키지

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

375A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 74A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11560pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET L8

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DirectFET™ Isometric L8

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3080pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

HAT2099H-EL-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4750pF @ 10V

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전력 손실 (최대)

30W (Tc)

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Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 220µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 500V

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Super Junction

전력 손실 (최대)

29W (Tc)

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