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2N7002DW-13-G

2N7002DW-13-G

참조 용

부품 번호 2N7002DW-13-G
PNEDA 부품 번호 2N7002DW-13-G
설명 MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N7002DW-13-G 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002DW-13-G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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2N7002DW-13-G 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 30V

전력-최대

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 4V

전력-최대

3.12W

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4507pF @ 25V

전력-최대

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

820pF @ 10V

전력-최대

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작동 온도

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20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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