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2N7002DW-7

2N7002DW-7

참조 용

부품 번호 2N7002DW-7
PNEDA 부품 번호 2N7002DW-7
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
제조업체 Diodes Incorporated
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2N7002DW-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002DW-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
2N7002DW-7, 2N7002DW-7 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 397.04 KB)
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  • 2N7002DW-7 Distributor

2N7002DW-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)230mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대310mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8600pF @ 25V

전력-최대

180W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

NVMFD5852NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NTZD3154NT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563-6

DMC2053UVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

SI4816DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 7.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W, 1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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