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2N7002V-7

2N7002V-7

참조 용

부품 번호 2N7002V-7
PNEDA 부품 번호 2N7002V-7
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N7002V-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002V-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
2N7002V-7, 2N7002V-7 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 83.19 KB)
PDF2N7002V-7 데이터 시트 표지
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  • 2N7002V-7 Distributor

2N7002V-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)280mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대150mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 30V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI7909DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

CMLDM8005 TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

650mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 16V

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

FDS9933

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

825pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRF9953TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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