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2PD602AQ,115

2PD602AQ,115

참조 용

부품 번호 2PD602AQ,115
PNEDA 부품 번호 2PD602AQ-115
설명 TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,932
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2PD602AQ 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2PD602AQ,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2PD602AQ, 2PD602AQ 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 281.1 KB)
PDF2PD602AR 데이터 시트 표지
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2PD602AQ 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce85 @ 150mA, 10V
전력-최대250mW
주파수-전환140MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SMT3; MPAK

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전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

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주파수-전환

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작동 온도

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 3A, 1V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 5A, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

전력-최대

830mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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