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2SA1020-O,CKF(J

2SA1020-O,CKF(J

참조 용

부품 번호 2SA1020-O,CKF(J
PNEDA 부품 번호 2SA1020-O-CKF-J
설명 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1020-O 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1020-O,CKF(J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1020-O, 2SA1020-O 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 168.44 KB)
PDF2SA1020-Y 데이터 시트 표지
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  • 2SA1020-O,CKF(J Distributor

2SA1020-O 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1250 @ 10A, 3V

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

전력-최대

750mW

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작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 150mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

400MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

전력-최대

900mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

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