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2SA1020-Y(T6ND1,AF

2SA1020-Y(T6ND1,AF

참조 용

부품 번호 2SA1020-Y(T6ND1,AF
PNEDA 부품 번호 2SA1020-Y-T6ND1-AF
설명 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
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2SA1020-Y(T6ND1 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1020-Y(T6ND1,AF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1020-Y(T6ND1, 2SA1020-Y(T6ND1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 168.44 KB)
PDF2SA1020-Y 데이터 시트 표지
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2SA1020-Y(T6ND1 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 1.5mA, 15mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 12.5mA, 12.5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 70mA, 700mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-225AA

2SC4153

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

7A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 3A, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

30MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

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