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2SA1020-Y,T6WNLF(J

2SA1020-Y,T6WNLF(J

참조 용

부품 번호 2SA1020-Y,T6WNLF(J
PNEDA 부품 번호 2SA1020-Y-T6WNLF-J
설명 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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2SA1020-Y 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1020-Y,T6WNLF(J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1020-Y, 2SA1020-Y 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 168.44 KB)
PDF2SA1020-Y 데이터 시트 표지
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2SA1020-Y 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92MOD

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

전력-최대

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주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전력-최대

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