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2SA1312GRTE85LF

2SA1312GRTE85LF

참조 용

부품 번호 2SA1312GRTE85LF
PNEDA 부품 번호 2SA1312GRTE85LF
설명 TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 4,302
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2SA1312GRTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1312GRTE85LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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  • 2SA1312GRTE85LF Distributor

2SA1312GRTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력-최대150mW
주파수-전환100MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지S-Mini

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 20mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

200mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

전력-최대

420mW

주파수-전환

140MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Diodes Incorporated

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-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 50mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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