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2SA1429-Y(T2TR,F,M

2SA1429-Y(T2TR,F,M

참조 용

부품 번호 2SA1429-Y(T2TR,F,M
PNEDA 부품 번호 2SA1429-Y-T2TR-F-M
설명 TRANS PNP 2A 80V SC71
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1429-Y(T2TR 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1429-Y(T2TR,F,M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1429-Y(T2TR, 2SA1429-Y(T2TR 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 173.68 KB)
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2SA1429-Y(T2TR 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
전력-최대1W
주파수-전환80MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SC-71
공급자 장치 패키지MSTM

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6A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

4V @ 60mA, 6A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

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장착 유형

Through Hole

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60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 100mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 5A, 3V

전력-최대

80W

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150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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TO-220-3

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TO-220-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

전력-최대

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