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2SA1618-GR(TE85L,F

2SA1618-GR(TE85L,F

참조 용

부품 번호 2SA1618-GR(TE85L,F
PNEDA 부품 번호 2SA1618-GR-TE85L-F
설명 TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,024
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2SA1618-GR(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1618-GR(TE85L,F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

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2SA1618-GR(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력-최대300mW
주파수-전환80MHz
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지SMV

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 25mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 2V

전력-최대

300mW

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2 NPN (Dual)

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200mA

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

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Surface Mount

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트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1V

전력-최대

150mW

주파수-전환

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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NPN, PNP (Emitter Coupled)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

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